◆团队负责人
◆教授、国家级专家
◆主要从事SiC 半导体芯片/器件科研和产业化工作
团队现有成员13人，其中研究员/研究员级高工2人
项目简介
重点研究 SiC 二极管、SiC MOSFET和SiC IGBT 设计优化和关键制造工艺技术，通过突破核心关键技术和汇聚高层次人才，实现高性能、高可靠性和高良品率SiC 二极管、SiC MOSFET和SiC IGBT的量产。
潜在市场
SiC功率芯片可大幅提高电压等级和工作温度，降低导通电阻和开关损耗，具有高效、体积小、轻便、易于集成、故障率低和系统成本低等优势，是高效、大功率密度电子系统的“核心”，是节能减排和产业升级的核心技术。
SiC半导体芯片在新能源汽车、清洁能源、5G通讯、智能电网、轨道交通、白色家电和高等电源等领域有广阔的应用前景。全球功率半导体芯片的市场超过2500亿元，其中50%以上用户在国内。国内功率半导体芯片接近90%需要进口，尤其是高端器件几乎全部依赖进口，进口替代的潜力巨大。
研究内容
（一）SiC功率芯片/器件缺陷相关的基础性研究
（二）SiC功率芯片/器件的设计和优化
（三）SiC功率芯片/器件的关键制造工艺
（四）SiC功率芯片/器件的量产化技术
（五）SiC MOSFET、SiC IGBT可靠性提升技术
